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Samsung: svelate le prime DDR5, 512 GB in un singolo modulo

Nelle scorse ore Samsung ha rivelato al suo pubblico il suoi primi nuovi banchi di memoria DDR5 da 512 GB e basati sul processo HKMG.

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Durante le scorse ore, Samsung ha rivelato il suo primo modulo di memoria DDR5 da 512 GB basato sul nuovo processo High-K Metal Gate, conosciuto anche come HKMG. DDR5, il nuovo standard DRAM in commercio, si rivolge alle esigenze di carichi di lavoro affamati di calcolo e ad alta larghezza di banda in applicazioni di supercalcolo, intelligenza artificiale e machine learning. Come avrete già notato, questo è un periodo particolarmente ricco di novità per il mercato di componenti hardware, che a breve vedrà l’ingresso delle NVIDIA GeForce RTX 3080 Ti e 3070 Ti.

Come successore della popolare DDR4, questo nuovo sguardo al futuro promette di raddoppiare le prestazioni fino a 7.200 megabit al secondo, una velocità sufficiente per elaborare due film ad altissima definizione da 30 GB in un secondo, con la nuova soluzione HKMG che aiuta a ridurre dispersione di corrente. La memoria in questione può inviare e ricevere segnali di dati due volte durante un singolo ciclo di clock e consente velocità di trasferimento e capacità decisamente più elevate.


La tecnologia HKMG è tradizionalmente utilizzata nei semiconduttori logici, dove sfrutta un materiale ad alto dielettrico nello strato isolante per ridurre la dispersione di corrente. Nelle strutture DRAM questo strato isolante è assottigliato, il che spesso si traduce in una maggiore corrente di dispersione. Ma con la sua nuova DDR5, Samsung ha ora sostituito l’isolante con materiale HKMG non solo per ridurre le perdite, ma anche per utilizzare meno energia, rendendolo ideale per i data center in cui l’efficienza energetica sta diventando sempre più critica.

Il processo HKMG è stato adottato per la prima volta nel settore nella memoria GDDR6 di Samsung rilasciata nel 2018 prima di essere ora esteso alla memoria DDR5. Samsung ha affermato di aver ora applicato la tecnologia through-silicon per impilare otto strati di chip DRAM da 16 gigabit per la capacità massima del settore di 512 GB. Oltre a questo modulo l’azienda starebbe campionando diverse varianti della sua famiglia ai clienti, con l’aiuto di partner come Intel. Di seguito le parole di Carolyn Duran, vicepresidente e generale manager della memoria e della tecnologia IO presso Intel:

I team di ingegneri di Intel collaborano strettamente con i leader della memoria come Samsung per fornire memoria DDR5 veloce ed efficiente dal punto di vista energetico, ottimizzata per le prestazioni e compatibile con i nostri futuri processori scalabili Intel Xeon, con il nome in codice Sapphire Rapids

Fonte:

Game Legends Stories

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